В Китае изобрели флеш-память, способную записывать 1 Гб за 3 секунды

Китайская исследовательская группа из Фуданьского университета показала прототип устройства флеш-памяти, которое способно обрабатывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Как сообщает Xinhua, это новый рекорд самого быстрого полупроводникового устройства хранения данных из когда-либо представленных.

Читать далее…