Ученые РТУ МИРЭА разработали новый алмазный транзистор для работы в экстремальных условиях

Специалисты РТУ МИРЭА разработали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза, который превзойдёт аналоги на основе традиционных полупроводников по важнейшим параметрам и производительности. Проект проводился на базе передовой инженерной школы СВЧ-электроники РТУ МИРЭА.

Ученые и инженеры лаборатории «Алмазная СВЧ-электроника» РТУ МИРЭА.

Автор фото: Александра Тимофеева, пресс-служба РТУ МИРЭА

Новое устройство использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что значительно улучшает электрофизические характеристики транзистора.

«Транзистор, как ожидается, сможет продемонстрировать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами, – поясняет ведущий разработчик, заведующий лабораторией «Алмазная СВЧ-электроника» РТУ МИРЭА Андрей Алтухов. – Ключевое преимущество – это сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности».

Разработка особенно актуальна для применения в экстремальных условиях – от космической техники до ядерной энергетики, где обычные кремниевые транзисторы быстро выходят из строя.

Алмазные транзисторы найдут применение в системах связи нового поколения, радиолокационных станциях, медицинском оборудовании и промышленной электронике. В 2025 году на эту разработку был получен патент.

 

Информация предоставлена пресс-службой РТУ МИРЭА