Китайские ученые представили графеновую флеш-память PoX, превосходящую DRAM и SRAM по скорости

Китайские ученые из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти PoX, способный записывать данные за 400 пикосекунд, что превосходит современные DRAM и SRAM, и обеспечивает энергонезависимую работу благодаря графеновому каналу.

Китайские ученые представили новую флеш-память, сообщает Синьхуа.

Прототип разработали исследователи из Фуданьского университета, используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации тестирования. Руководитель проекта Чжоу Пэн отметил: «Мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения».

Новая разработка носит название PoX и базируется на графеновом канале с двумерной структурой Дирака. Это устройство превосходит традиционные типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, по скорости записи данных. В отличие от них, PoX сохраняет информацию без необходимости постоянного питания, что делает его энергоэффективным.

По данным агентства, технология PoX может стать основой для будущих систем хранения данных, особенно в устройствах искусственного интеллекта, которые требуют быстрой и энергонезависимой памяти.

На этой недеое в Китае внезапно скончались несколько специалистов в области искусственного интеллекта, что вызывает обеспокоенность из-за возможного давления на индустрию.

Ранее Китай объявил о масштабной государственной инициативе по развитию искусственного интеллекта, выделив на эти цели 1 трлн юаней (около 138 млрд долларов).